据外媒报道，三星计划在今年6月召开的2024年晶圆代工论坛上，正式公布其1nm制程工艺计划，并计划将1nm的量产时间从原本的2027年提前到2026年。

据了解，三星电子已于2022年6月在全球首次成功量产3nm晶圆代工，并计划在2024年开始量产其第二代3nm工艺。根据三星之前的路线图，2nm SF2 工艺将于2025年亮相，与 3nm SF3 工艺相比，同等情况下能效可提高25%，性能可提高12%，同时芯片面积减少5%。

报道中称，三星加速量产1nm工艺的信心，或许来自于“Gate-All-Around（GAA）”电流控制技术，该技术能显著降低晶体管的漏电流，提升芯片功率效率。

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