12月8日消息，英诺赛科（珠海）科技有限公司（简称“英诺赛科InnoSciece”）为ASML光刻机成功导入8英寸硅基氮化镓量产线举办了庆典。

英诺赛科于2021年引入ASML光刻机，凭借着其卓越的成像性能和独特的TWINSCAN架构（双晶圆工件平台），英诺赛科进一步提升了硅基氮化镓功率器件制造的产能及产线良率。

英诺赛科首席执行官孙在亨表示，公司在今年第二季度引进了ASML光刻机，改善了光刻工艺窗口，进一步提高了产能和产线良率，带来了可观的成本效益。在设备入驻后，双方技术团队密切合作，通过现场验证和快速迭代，技术挑战迎刃而解，在短短三个月内实现试生产，最终在10月进入正式量产阶段。通过与半导体设备领跑者ASML的合作，加快了英诺赛科产品推向市场的速度，助力了氮化镓半导体的蓬勃发展。

中国首条8英寸硅基氮化镓外延与芯片产线

据维科网了解，英诺赛科是2015年12月由海归团队发起，并集合了数十名国内外精英联合创办的第三代半导体电力电子器件研发与生产的高科技企业。

英诺赛科采用IDM全产业链模式，致力于打造一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体的第三代半导体生产平台。

公司一期项目坐落于珠海市国家级高新区，并已建成中国首条8英寸硅基氮化镓外延与芯片大规模量产生产线。公司的主要产品包括30V－650V氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。

此次英诺赛科将ASML光刻机成功导入8英寸硅基氮化镓量产线无疑是一次重大突破，ASML副总裁兼中国区总经理沈波也表示，“我们很荣幸能成为英诺赛科的合作伙伴，并为此次得奖感到自豪。英诺赛科的蓬勃发展反映了第三代半导体近年来的突飞猛进和长期的发展潜力”沈波说，“ASML一直致力于以领先的光刻技术为客户提供不懈的支持和服务，以推动整个半导体行业的创新发展。我们将继续为英诺赛科的持续发展提供先进的技术和优质的服务。”

Remark：曾毓群为“动力电池一哥”CATL宁德时代创始人，已入资英诺赛科。从其个人履历可以看出，电动汽车，新能源，功率器件，第三代半导体硅上GaN，以快充为应用先驱的GaN功率器件，目前还不能划上等号。