据报道，比亚迪半导体产品总监杨钦耀日前表示，比亚迪车规级的IGBT已经走到5代，碳化硅MOSFET已经走到3代，第4代正在开发当中。目前在规划自建SiC产线，预计到明年有自己的产线。为此，比亚迪股份（持股72.3%比亚迪半导体）经过八个月的酝酿，授权公司及比亚迪半导体管理层启动分拆比亚迪半导体上市的前期筹备工作。比亚迪半导体独立上市再次迈出实质性的一步。

比亚迪在半导体行业布局较早，早在2005年就成立了IGBT团队，并于2009年推出首款自主研发IGBT芯片，打破国外企业的技术垄断。目前，比亚迪已研发出SiC MOSFET。按照计划比亚迪公布的计划，预计到2023年，BYD电动车将实现碳化硅功率半导体IGBT的全面替代，整车性能在现有基础上再提升10％。

碳化硅（SiC）电力电子器件将替代IGBT——这是英飞凌、罗姆等国际知名企业一致观点。在新能源汽车领域，碳化硅主要用于动力控制单元。目前主流车厂仍然使用IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片），但特斯拉、比亚迪已经在 Model 3、汉EV车型上开始使用SiC MOSFET（碳化硅功率场效应晶体管）。汉EV也是国内首款批量搭载SiC MOSFET组件的车型。

研究显示，SiC的功率损耗较IGBT下降了87%。结合功率半导体在整车中的能量损耗占比数据可以得出，仅仅是将IGBT替换为SiC，就可提高整车续航里程10%左右，这对于极其在意续航能力的电动车来说受益匪浅。

— 2020年4月，比亚迪对外宣布全资子公司深圳比亚迪微电子有限公司重组完成，正式更名为“比亚迪半导体有限公司”，并拟以增资扩股等方式引入战略投资者，多元化股东结构，积极寻求比亚迪半导体于适当时机独立上市。

— 2020年5月，比亚迪半导体完成A轮融资19亿元，投后估值近百亿元。该轮投资由红杉资本、中金资本以及国投创新领投，Himalaya Capital等多家国内外知名投资机构共同参与。6月份，比亚迪半导体获得8亿元A+轮融资。

— 2020年8月，比亚迪半导体再次获得由联通中金、中电中金、尚颀资本、博华资本等十余家投资公司参与的股权融资。至此，比亚迪半导体已高效完成了内部重组、股权激励、引入战略投资者等工作。此外，红杉资本、小米、碧桂园、华强实业等产业资本都在其股东名单行列。