新华社消息，在合肥召开的2019世界制造业大会上，总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片制造项目宣布投产，其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆。

该项目2016年5月由合肥市政府旗下合肥产投与兆易创新共同出资组建。目前，项目已获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。

长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明介绍，长鑫存储投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。

长鑫存储副总裁平尔萱日前在另一场合表示，公司已经成功把从奇梦达获得的46纳米堆栈式DRAM平稳过度到10纳米级别，公司甚至在探索HKMG、EUV甚至GAA等新技术和新工艺在DRAM上的实现，力争未来成为存储领域的领先者。