来源：Silicon Semiconductor

scia Systems 的 scia Mill 200 系统可实现薄膜的高精度表面结构化，并具有增强的选择性。

scia Systems 表示北卡罗来纳州立大学 (NCSU) 已经购买了 scia Mill 200 系统。该系统将用于处理碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体材料，以使电力电子器件能够在更高的电压、频率和温度下更高效地运行。scia Mill 200 将安装在新建立的区域中心，名为“宽禁带半导体商业飞跃”（CLAWS）。 

“我们很高兴 NCSU 在其新建的区域创新中心使用 scia Systems 的离子束设备。由于其完全反应气体兼容性，scia Mill 200 是实现反应蚀刻工艺的正确选择，可在宽禁带半导体材料中提高选择性和速率”，scia Systems 首席执行官 Michael Zeuner 博士表示。

使用 scia Mill 200 精确加工复杂表面结构

离子束蚀刻 (IBE) 是一种高精度的表面处理方法。一束带正电的离子被加速射向基板。离子将其动能传递给表面原子，使其被喷射，从而去除材料。IBE 的特殊形式是反应离子束蚀刻 (RIBE) 和化学辅助离子束蚀刻 (CAIBE)，其中使用反应气体来增加选择性、影响沟槽角度或提高蚀刻速率。

scia Mill 200 可对复杂多层材料进行高精度蚀刻，且晶圆尺寸高达 200 毫米时具有出色的均匀性。典型应用是磁存储器 (MRAM)、传感器、MEMS 和化合物半导体的 2D 和 3D 结构化。

原文链接：

https://siliconsemiconductor.net/article/120143/North_Carolina_State_University_orders_Ion_Beam_Etching_Equipment_ 

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