信越化学株式会社近日宣布，已将使用氮化镓(GaN)的半导体制造基板(晶圆)的直径扩大至300毫米，是传统产品的1.5倍，并已开始供应样品。实现高质量厚膜GaN外延生长。它将作为数据中心（DC）中使用的下一代半导体的制造材料提供，数据中心的需求正在不断增加。信越化学将根据情况进行批量生产。

当提高在晶体上生长晶体薄膜的外延生长过程的效率时，增加衬底的尺寸容易发生翘曲和破裂。解决这个问题的GaN兼容衬底可以与传统硅（Si）在同一生产线上使用，因此也有望降低成本。此前，它以150毫米和200毫米直径出售，但根据客户反馈，增加了300毫米直径。

2019年，信越化学获得了美国Qromis公司（加利福尼亚州Chromis）开发的专门用于GaN生长的复合材料基板的许可，该基板名为“QST基板”。QST衬底具有与GaN相同的热膨胀系数，并且可以在与标准Si衬底相同的衬底厚度的情况下抑制外延层的翘曲和裂纹。该公司继续将利用这一特性的大型基板商业化。

与传统硅器件相比，氮化镓功率器件具有更高的开关频率和功率密度，以及更高的功率转换效率和简化的拓扑结构。消费应用（如电源适配器）和工业应用（如数据中心电源和太阳能逆变器）已得到广泛采用。在本文中，我们将讨论一种创新方法，以扩展GaN的制造能力，以增加其应用空间，促进单片集成，并在非专用于硅的Si兼容工厂中增加晶圆直径。 

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