据外媒报道，日前，美国商务部宣布已与美光签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），将根据《芯片法案》提供至多61.4亿美元的直接拨款，用于支持美光到2030年投资500亿美元在纽约州克莱建设两座先进DRAM超级晶圆厂，以及在爱达荷州建设一座先进DRAM内存大规模量产工厂。

此外，美国还将获得至多75亿美元的贷款，并有资格获得美国财政部的投资税收抵免。美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，美光拟议的投资将分布在纽约州和爱达荷州，以在美国创建一个强大的领先DRAM芯片生态系统。

据了解，美光计划在纽约州克莱建设四座晶圆厂，此次涉及的是前两座，每座晶圆厂拥有600,000平方英尺的洁净室，这或是美国有史以来宣布的最大洁净室空间。此外，美光宣布在爱达荷州博伊西投资250亿美元建造一座大型晶圆厂，洁净室约600,000平方英尺，专注于生产领先的DRAM芯片，与美光的研发设施位于同一地点。