环球网消息：据外媒10日报道，顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。

三星第五代V-NAND内存芯片是业内第一个利用Toggle DDR 4.0接口的产品。该接口被称为数据传输的高速公路，在存储之间的传输速度可达1.4 Gbps。与前一代产品相比，后者使存储的传输速度提高了40%。此外，新的V-NAND数据写入速度仅延迟了500微妙，与前一代相比改进了30%，读取信号时间已降低到50微妙。值得一提的是新的96层V-NAND闪存芯片也更加节能，电压从1.8V降至1.2V。

为了实现上述所有的改进，新一代V-NAND配备了90层的3D TLC 闪存存储单元。它们堆叠成金字塔状结构，中间有微小孔。这些小孔用作通道，尺度仅有几百微米宽，包含超过850亿个闪存单元，每个单元存储多达3比特数据，单Die容量达256Gb(32GB)。这种制造方法包括了许多先进技术，比如电路设计、新工艺技术等。具体细节三星未详述，但该公司称，V-NAND的改进使其生产效率提高了30%以上。