2018年6月25日，《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》明确表示国家将大力发展新能源汽车，而IGBT、碳化硅器件等作为新能源汽车的核心器件，国产化替代需求巨大。6月22日，“2018国际新能源汽车功率半导体关键技术论坛”在北京举行，旨在把行业最优的核心器件推广至新能源汽车应用。作为全球第一家提供沟槽型场截止型（Trench FS, Field Stop）IGBT量产技术的8英寸代工厂，华虹宏力在IGBT代工领域有口皆碑，始终以深厚的技术底蕴和卓越的性能品质深受客户认可，会上被授予“新能源汽车功率半导体十佳企业”。

凭借研发创新与产学研合作，华虹宏力陆续推出了600V、1200V、1700V等IGBT器件工艺，成功解决了IGBT的关键工艺问题，在沟槽型场截止型IGBT量产上经验丰富，更是国内唯一拥有IGBT全套背面加工工艺的晶圆代工企业，包括背面薄片、背面离子注入、背面激光退火、背面金属，背面光刻。

2018年5月，华虹宏力正式通过IATF 16949汽车质量管理体系认证。相较老版TS 16949，IATF 16949汽车质量管理体系更着重于持续改善，强调缺陷预防以及减少变差和浪费。

汽车电动化的大旗下，车用半导体蓬勃发展，华虹宏力将继续坚持技术创新与质量管理双管齐下，积极开拓汽车电子市场，进一步服务客户需求，提升客户满意度，向更高质量目标再出发。