BusinessNews
  • 首页
  • 英文版
  • 电子读物
    • 期刊
    • 焦点
  • 晶芯研讨会
  • 白皮书
  • 人才对接
  • 采购供需
  • 多媒体
    • 视频
    • 图集
  • 媒体信息
    • 投稿指南
    • 2026年媒体信息
  • 关于我们
    • 联系我们
    • 加入我们
  • 捷径:
  • 新闻动态
  • 采访报道
  • 制造与封装
  • 设计与应用
  • 设备与材料
  • 产业与市场
  • 产品特写
  • 展会与活动

当前位置:

     首页 > 新闻资讯  > 新闻动态

纳微在杭州开设GaNFast™研发中心以支持创新

2018/6/22 9:25:03

通过世界级的尖端知识和合作

实现新一代高频、高效、高密度电源系统

纳微(Navitas)宣布在杭州开设新的GaNFast研发中心,以帮助合作伙伴和客户设计技术领先的电源转换器;相比传统的硅MOS管方案,这些新设计能让体积缩小50%,重量减轻50%,可为移动应用终端提供快3倍的充电速度。

纳微高级应用总监兼新研发中心负责人徐迎春表示:“GaNFast研发中心拥有产品设计经验丰富的高水平应用工程师团队,将专注于开发高频、高效、高功率密度的电源系统,并协助客户充分发挥GaNFast功率IC的关键性能和优势。我们拥有开发新型先进电源架构的工具、技能和资源,同时能够确保开发高效率、优异的热性能和EMI性能等关键技术指标符合客户需求的可量产产品。”

纳微旗下的业界第一款GaNFast™功率IC能够同时实现MHz级频率和更高效率的电源设计,这些优异性能意味着移动快速充电器和适配器、LED电视、电动汽车/混合动力汽车、LED照明和新能源解决方案可采用更小、更轻、更低系统成本的功率转换技术。

纳微首席技术官Dan Kinzer指出:“杭州是中国学术和创新的中心之一,与浙江大学电力电子中心和杭州、上海、苏州等周边客户的研究机构有着密切联系,占尽地利人和。纳微的愿景是利用性能出众的氮化镓功率器件创造出高频、高效、高密度的新型电源系统。”

纳微首席执行官Gene Sheridan在研发中心开幕式上致欢迎辞,他补充道:“继创建深圳销售办事处之后,我们又大量投资于新的杭州GaNFast研发中心以促进技术发展,并且为中国客户提供更强大的技术支持。 结合半导体器件、系统级创新以及行业合作伙伴关系,我们可以携手重新塑造价值高达每年2000亿人民币的产业。”




声明:本网站部分文章转载自网络,转发仅为更大范围传播。 转载文章版权归原作者所有,如有异议,请联系我们修改或删除。联系邮箱:viviz@actintl.com.hk, 电话:0755-25988573

上一篇:首尔半导体创新 LED SunLike 技术进入家用照明市场

下一篇:UltraSoC嵌入式分析技术与Imperas虚拟平台联手助力多核开发及调试

相关资讯

              暂无相关的数据...

本期内容

2026年 夏季刊

订阅期刊

过刊查询

efocus

赞助商

友情链接
回到顶部

Copyright© 2026:《半导体芯科技》; All Rights Reserved.      粤公网安备 44030402004707号   粤ICP备12025165号-7     服务条款     隐私声明