来源：意法半导体

近日，意法半导体和Soitec宣布就SiC晶圆制造技术合作达成协议。意法半导体表示，通过此次合作，意法半导体未来200mm晶圆生产将采用Soitec的SmartSiC技术，旨在通过中期量产增加器件和模块产量，认证工作将在未来18个月内开展。

本月初，意法半导体就宣布，将与上游产业链加强合作，最终确定与Soitec签署协议。Soitec拥有专利技术SmartSiC™，可以剥离出高质量的碳化硅供体晶圆薄层，并将其键合到低电阻率的多晶硅操作晶圆上，助力改进器件的性能和生产良率。此外，优质的碳化硅供体晶圆可被多次重复利用，进而大幅降低生产的总能耗。

意法半导体汽车与分立产品部总裁Marco Monti指出，技术合作旨在不断提高产量和质量。Soitec的SmartSiC是该公司专有的SmartCut工艺在SiC上的应用，其中将高质量的碳化硅供体晶圆切成薄片并键合到低电阻多晶SiC处理晶圆上。高质量的供体晶圆是可重复使用的，从而减少了整个制造过程中所需的能源消耗，Soitec 将在加速采用SiC方面发挥重要作用。“

Soitec首席运营官安世鹏表示：“电动汽车正在颠覆汽车行业的发展。通过将我们专利的SmartCut工艺与碳化硅半导体相结合，SmartSiC技术将加速碳化硅在电动车市场的应用。Soitec的SmartSiC优化衬底与意法半导体行业领先的碳化硅技术、专业知识相结合，将推动汽车芯片制造领域的重大变革，并树立新的行业标准。”

扩产方面，记者从意法半导体方面了解到，意法半导体将于意大利兴建一座整合式碳化硅衬底制造厂，以满足意法半导体客户对汽车及工业碳化硅组件与日俱增的需求。根据官方信息，该新厂预计2023年开始投产，以实现碳化硅衬底的供应在对内采购及行业供货间达到平衡。

产品方面，12月14日，意法半导体发布了新的碳化硅功率模块，可提高电动汽车性能和续航里程。现该功率模块已用于现代汽车公司的E-GMP电动汽车平台，以及共享该平台的起亚EV6等多款车型。

意法半导体执行副总裁、汽车和分立器件产品部(ADG)功率晶体管子产品部副总裁Edoardo Merli在2022世界集成电路大会上表示，未来汽车的发展趋势和目标包括：减轻重量、减少功率损耗、续航里程扩大到1000公里、减少充电次数及充电时间、提高可靠性、降低成本等。由于碳化硅器件拥有卓越的热特性和电气特性，顺应了电动汽车的技术发展趋势，为电动汽车逆变器技术带来了颠覆性的变革。

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