BusinessNews
  • 首页
  • 英文版
  • 电子读物
    • 期刊
    • 焦点
  • 晶芯研讨会
  • 白皮书
  • 人才对接
  • 采购供需
  • 多媒体
    • 视频
    • 图集
  • 媒体信息
    • 投稿指南
    • 2026年媒体信息
  • 关于我们
    • 联系我们
    • 加入我们
  • 捷径:
  • 新闻动态
  • 采访报道
  • 制造与封装
  • 设计与应用
  • 设备与材料
  • 产业与市场
  • 产品特写
  • 展会与活动

当前位置:

     首页 > 新闻资讯  > 新闻动态

X-FAB与派恩杰合作共推全球SiC产业发展

2021/9/7 16:17:24

9月6日,模拟晶圆代工龙头企业X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)和国产SiC功率器件供应商派恩杰联合对外宣布,双方就批量生产SiC晶圆建立长期战略合作关系,此前双方已经合作近三年时间。

X-FAB总部位于欧洲,是全球第一家提供150mm SiC工艺的代工企业。X-FAB符合汽车品质的生产环境可以帮助客户生产制造出高品质、高性能,并且能快速上市的器件。

作为X-FAB亚洲区重要的合作伙伴,据了解,过去三年派恩杰累计出货1千万,未来三年预计将超过8千万。

从派恩杰官网了解到,派恩杰是成立于2018年9月的第三代半导体功率器件设计和方案商。创始人黄兴博士师从IGBT之父B•贾扬•巴利加(B. Jayant Baliga),在Cree / RFMD(Qorvo) / UnitedSiC等有长达十年的SiC&GaN功率器件设计经验。由此可见,派恩杰SiC&GaN功率器件自带美国半导体技术基因,具有先天技术优势,技术实力可见一斑,派恩杰的产品发展史也佐证了这一点。

2019年3月,派恩杰成立仅6个月即发布了第一款可兼容驱动650V GaN功率器件。同年8月完成Gen3技术的1200V SiC MOS,填补了国内空白。2020年先后发布用于5G数据中心、服务器与工业辅助电源的650V、1700V工业级MOS以及用于车载充电机的650V车规级MOS。2021年2月发布1200V大电流车规级MOS,应用于电动汽车电驱单管及模块。

截至目前,派恩杰已经发布了50余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOS、GaN HEMT功率器件产品。

派恩杰和X-FAB均表示,双方将持续深度合作,充分发挥派恩杰国际一流水平的产品技术优势和在X-FAB高扩展性和汽车品质的代工服务,降低SiC器件的成本,保障产能,加速SiC功率器件在大数据中心、超级计算与区块链、5G通信基站、新能源汽车/储能/充电桩、微型光伏、城际高速铁路和城际轨道交通、家用电器以及特高压、航空航天、工业特种电源、UPS、电机驱动等领域的应用,推动全球SiC产业的发展。




声明:本网站部分文章转载自网络,转发仅为更大范围传播。 转载文章版权归原作者所有,如有异议,请联系我们修改或删除。联系邮箱:viviz@actintl.com.hk, 电话:0755-25988573

上一篇:e络盟发布最新调研结果:工业和物联网应用对低成本单板机的需求日益增长

下一篇:Achronix和Signoff半导体携手为AI/ML应用提供FPGA和eFPGA IP设计服务

相关资讯

              暂无相关的数据...

本期内容

2026年 夏季刊

订阅期刊

过刊查询

efocus

赞助商

友情链接
回到顶部

Copyright© 2026:《半导体芯科技》; All Rights Reserved.      粤公网安备 44030402004707号   粤ICP备12025165号-7     服务条款     隐私声明