据新华网报道，江苏省重大项目英诺赛科氮化镓项目已经完成了一期厂房建设及生产设备搬入，预计今年11月底实现通线试产，明年4月正式投产。

英诺赛科（苏州）半导体有限公司副总经理王培仁表示，按照规划，英诺赛科氮化镓项目开工两年内将建成8英寸第三代化合物半导体硅基氮化镓大规模量产线，投产后三年将实现年产78万片功率控制电路及半导体电力电子器件的总目标。

资料显示，英诺赛科氮化镓项目一期投资超60亿元，建成后年产值预计可突破100亿元，该项目主要建设从器件设计、驱动IC设计开发、材料制造、器件制备、后段高端封测以及模块加工的全产业链宽禁带半导体器件制造平台。建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。

英诺赛科总经理孙在亨此前表示，项目计划未来两到三年内满产后实现月产65000片8英寸硅基氮化镓。