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台积电3nm与5nm、7nm 100% IP兼容

2021/1/8 18:02:04

来源:EDA365

晶圆代工龙头台积电位于南科的3nm新厂于去年11 月底上梁,缔造另一个先进制程里程碑。设备供应链近日透露,台积电3nm新厂规划在今年7~8 月开厂,相关供应商须在今年中以前备妥机台、准备进机,供应链透露,3nm于试产阶段(2021年下半年)即有约一个月2 万至3 万片,量产首年平均月产能约5.5 万片,到了2023年以后,将达到10.5 万片。

根据台积电先前表示,3nm预计2022年下半年量产,当年产能预估将超过60万片12 吋晶圆。供应链透露,目前3nm准备离开RD阶段、进入mini-line,一如往常,将由苹果抢下头香,台积电也火力全开大力支持。而AMD也有望随后跟上,且英特尔也有合作方案在进行。

供应链亦透露,3nm制程将依循7nm(7nm、7nm+、6nm)、5nm(5nm、5nm+、4nm)的“家族模式”,客户在同一制程节点可沿用既有设计基础架构,达到100% 的IP兼容,可加速产品创新及上市速度。目前台积电也在规划2.5nm(或称3nm+)制程,推估2023下半年量产。

业界人士表示,3nm对台韩晶圆代工双雄来说是关键一役,两强战术大不相同。三星将直接采用GAA(环绕式闸极结构),而台积电3nm则选择沿用FinFET(鳍式场效应晶体管)架构,到了2nm才导入GAA技术为基础的MBCFET 架构,他认为,在既有架构上求突破,以减少制程变动,相对具备成本效益。
他进一步指出,3nm虽然沿用FinFET,但技术层次、投资金额均较过去高出许多,挑战也不小,因此台积电在产能规划也比5纳米更为积极,除反映出大客户需求旺盛外,也希望客户可以在3nm世代停留久一些,为下一代2nm做好充足准备。

此外,竞争对手三星在努力完善流程,试图追赶台积电,但鉴于目前台积电已经很好地掌握了EUV并取得了良好的进展,这种趋势在可预见的未来不太可能改变。

业内消息人士指出,台积电目前提供的5nm制程之后的大规模制程的生产路线图被认为如下:(注:在5nm +和3nm之间,计划插入4nm工艺,作为第三代5nm工艺,但是批量生产时间未知。)

  • 5nm:2020年开始量产(在台南最先进的“ Fab 18”工厂生产)

  • 5nm+:计划于2021年开始批量生产

  • 3nm:计划于2022年开始批量生产(台南工厂建成,设备于2021年投入生产,风险生产计划开始)

  • 3nm+:计划于2023年开始批量生产

  • 2nm:计划于2024年开始批量生产(工艺开发,新竹工厂建设,风险生产计划于2023年开始)

  • 1nm:正在研发中(在新竹总部附近,一个名为“ TSMC的贝尔实验室”的大型研发中心正在建设中。)




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