来源：复旦大学微电子学院

据复旦大学微电子学院公布，该校的周鹏团队针对具有重大需求的3-5纳米节点晶体管技术，验证了双层沟道厚度分别为0.6 /1.2纳米的围栅多桥沟道晶体管，实现了高驱动电流和低泄漏电流的融合统一，为高性能低功耗电子器件的发展提供了新的技术途径，相关的成功将会在第66届IEDM国际电子器件大会上在线发表。

GAA晶体管是以硅基材料为基础研发的芯片，对比传统的晶体管拥有更好的栅控能力和漏电控制。　目前，三星和台积电都已经将GAA晶体管作为未来的主要研究方向。

据报道，此次周鹏团队设计并制造出来的超薄围栅双桥沟道晶体管在驱动电流方面比普通的MoS2晶体管相比提升超过400%，在室温下可以达到理想的亚阈值摆幅（60mV/dec），漏电流降低了两个数量级。