据韩国媒体《Infostock Daily》11月18日引述消息人士报道，三星电子已决定在美国建立完全采用EUV（极紫外光）生产设备的LSI（Large－scale integrated circuit，大规模集成电路）工厂。

11月19日消息，据国外媒体报道，三星电子正在奋力赶超台积电，计划在2022年量产3纳米芯片。

据《Infostock Daily》消息，三星拟投资100亿美元，在美国德克萨斯州奥斯汀市建立一座12吋晶圆新厂——这是三星在美国的第二座生产基地，产能为70K。台湾联合新闻网文章引述业界解读称，三星在美国将扩大7nm以下，甚至更先进的3nm先进制程工艺的布局，意在紧追台积电在美国投资脚步。

韩媒称，三星这座预计全部采用EUV生产设备的新厂，将是三星在韩国以外第一个使用EUV生产的厂区。这样做的目的也是加快拉近与台积电差距。这座工厂启用后将生产非存储芯片，以及系统整合芯片（system LSI）。不过，韩国媒体的报道未提及三星将在奥斯汀设立的这座新工厂是否已经通过美国政府的审查或已进入最终阶段。

根据三星官方信息，今年5月，三星在韩国平泽启动建设5nm的EUV工厂，而华城厂区则已量产5nm。在韩国本土，三星共计有六大生产基地，在美国，此前仅有在德州设有12吋厂生产65nm乃至14nm制程工艺的产品。

三星电子高管Park Jae-hong最近在一次活动中表示，公司已定下目标，在2022年量产3纳米芯片。该高管透露，三星电子已在与主要合作方开发初步设计工具。

三星电子向其下一代芯片业务投入1160亿美元，其中包括为外部客户制造芯片。

三星电子领导人李在镕此前曾透露，该公司计划采用正在开发的最新3纳米全栅极(gate-all-around，简称GAA)工艺技术来制造尖端芯片，并提供给全球客户。

三星电子已开始大规模量产5nm芯片，并且正在研发4nm工艺。

在芯片代工业务领域，三星电子目前位列第二。排名第一的是台积电，去年市场占有率达52%。

关于台积电和三星电子之间的竞争，台积电创始人张忠谋曾表示，三星电子是很厉害的对手，目前台积电暂时占优势，但台积电跟三星的战争绝对还没结束，台积电还没有赢。