来源：IT之家

新闻链接：长江存储“跳级”推出128层3D闪存，单颗容量达1.33Tb

11月10日，美国加州圣克拉拉会议中心，全球顶级半导体峰会之一的Flash Memory峰会举行。在11月9日晚，美光宣告了自己最新的第五代3D NAND闪存技术，该技术具有176层存储单元堆叠。

新的176层闪存是美光与英特尔分手以来所研发的第二代产品，上一代3D NAND则是128层设计，是美光的过渡节点。而目前在三星的存储技术大幅度领先之下，美光128层3D NAND不再有具备优势。虽然此次升级到了176层，但产品性能仍落后于三星。美光方面并未公布太多关于该技术的信息。

176层NAND支持的接口速度为1600MT/s，高于其96层和128层闪存的1200MT/s。与96层NAND相比，读（写）延迟提高了35%以上，与128层NAND相比，提高了25%以上。与使用96层NAND的UFS3.1模块相比，美光芯片的总体混合工作负载改善了约15%。

据了解，美光表示其176层3DNAND已开始批量生产，并已在某些英睿达的消费级SSD产品中出货。

美光表示其 176 层 3D NAND 已开始批量生产，并已在某些英睿达的消费级 SSD 产品中出货。