此前2月18日，中芯国际宣布在2019年3月12日至2020年2月17日的12个月期间，向泛林（Lam Research）提交采购清单，斥资6.01亿美元（约合42亿元人民币）购买工艺设备，可能包括该司三大关键设备，比如干刻（RIE/ALE）、沉积（CVD/ALD）、及去光阻和清洗（Stripper & Cleaning）设备。

然而这仅仅是中芯国际建设14nm产线的部分设备清单。自从去年年底宣布14nm产线贯通之后，扩大14nm产线的月产能成了该司乃至中国芯片制造业的重中之重。根据中芯国际联席CEO梁孟松的说法，14nm（包含改进型的12nm工艺）月产能将在今年3月达到4K，7月达到9K，12月达到15K，之后产能将不再提升，公司将资源用在新的工艺上面。比方说，除了14nm及改进型的12nm工艺之外，中芯国际的N+1、N+2代工艺也会陆续在今年底开始试产，相当于台积电7nm低功耗、7nm高性能工艺级别，未来一两年也会是产能建设的重点。

为了达成上述目标，日前中芯国际再次透露已斥资11亿美元(约合人民币77亿元），用于采购Applied Material、TEL工艺设备。其中，应用材料的订单是在2月11-18日期间，金额5.43亿美元，而东京电子的采购单是在2019年3月26日至2020年2月28日期间陆续提交，所涉金额5.51亿美元。

中芯国际目前自主研发出的14nm虽然可以满足大家的日常需求，但与台积电的7nm相比还是落后了好几年。不过中芯国际近日发出宣告，在研发7nm的过程中暂时还不需要用到EUV光刻机。其实台积电研发出的第一代7nm也没有用到EUV光刻机，而是使用的DUV多重曝光技术。从这一点我们就能看出中芯国际目前研发7nm不需要依靠国外产品EUV光刻机，我们可以另寻出路从中得到突破。

中芯国际在研发的过程暂时不需要用到EUV光刻机，但想要研发出7nm，需要使用的资金可不是一笔小数目。台积电当初研发出7nm花了差不多30亿美元，技术研发出来之后又花费100亿美元建造代工厂，因此强大的经济实力对于研发是必需的。