来源：网易科技

三星宣布，其新的EUV（远紫外线）半导体生产线（韩国华城厂）已开始大规模生产，该生产线将为客户生产7纳米或更小的芯片。2017年和2019年分别开发了现已商用的7纳米和5纳米制程工艺。

韩国华城厂新的V1产线是第一条专门用于EUV光刻技术的生产线。早在2018年2月，该公司就开始打造V1生产线，迄今已向其投资60亿美元。加上S3生产线，其7纳米或更小芯片的产量预计将比去年增加两倍。

三星表示，公司将使用7纳米及以下工艺节点生产芯片。该公司还将采用7纳米和6纳米工艺生产移动芯片，并最终规划最先进的3纳米芯片。2019年5月，三星共享了其3纳米制程的工艺设计工具包。

EUV工艺使用波长较短的紫外线在晶圆上绘制设计范式。据三星的说法，与之前使用ArF激光的光刻技术相比，这种技术可以提供更精细、更好的设计。

近年来，三星与芯片代工领头羊台积电(TSMC)展开激烈竞争，以争夺高通、英伟达、苹果、AMD、华为海思等大客户。三星目前共有6条专用于芯片代工生产的生产线。为了成为行业领先者，三星在2030年之前将向代工芯片生产和处理器等逻辑芯片业务投资1200亿美元。