来源：集微网

据businessKorea报道，三星已开始生产磁阻随机存取存储器(MRAM)。预计MRAM将改变半导体市场的格局，因为它兼具DRAM与NAND闪存的优点。

三星3月6日宣布，已在一条基于28纳米FD-SOI工艺的生产线上，开始大规模生产和商业运输嵌入式MRAM(eMRAM)解决方案。该公司在首尔近郊京畿道器兴厂房举行了仪式，标志着新内存产品的首次发货。

这种解决方案无需在数据记录期间擦除数据，并实现了比传统闪存快1000倍左右的写入速度。三星表示，由于它在断电时保存了存储的数据，并且不使用额外的备用电源，所以它的功耗也很优秀。

三星将FD-SOI工艺与嵌入式设计技术相结合。在FD-SOI工艺中，硅片上覆盖一层绝缘膜，在顶部形成晶体管。它的特点是大大降低了晶体管运行过程中产生的漏电流。该公司在FD-SOI进程中添加了嵌入式内存技术。嵌入式存储技术是一种存储模块，用于小型电子设备的微控制器单元(MCU)和片上系统(SoC)等系统半导体中存储信息。

三星电子表示，该解决方案结构简单，可以通过在当前基于逻辑流程的设计中添加最少的层数来实现，从而减轻了公司进行新设计的负担，并降低了生产成本。三星计划扩大其嵌入式内存解决方案，从今年生产1块Gbe MRAM测试芯片开始。

行业分析师表示，随着eMRAM的推出，三星将增加其代工销售，同时增强其在代工方面的竞争力，以确保在未来半导体市场占据领先地位。

三星计划明年推出18纳米FD-SOI eMRAM工艺。

来源：芯电易 2019/3/7

三星宣布量产eMRAM 嵌入式存储迈入新时代

日前，三星电子又宣布，已经全球第一家商业化规模量产eMRAM(嵌入式磁阻内存)，而且用的是看上去有点“老旧”的28nm FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)成熟工艺，可广泛应用于MCU微控制器、IoT物联网、AI人工智能领域。

三星指出，基于放电存储操作的eFlash(嵌入式闪存)已经越来越难以进步，SLC、MLC、TLC、QLC、OLC一路走下来，密度越来越高，但是寿命越来越短，主控和算法不得不进行越来越复杂的补偿。

eMRAM则是极佳的替代者，因为它是基于磁阻的存储，扩展性非常好，在非易失性、随机访问、寿命耐久性等方面也远胜传统RAM。

使用28nm工艺量产成功，则进一步证明三星已经克服了eMRAM量产的技术难题，工艺上更不是问题。三星还计划今年内流片1Gb(128MB)容量的eMRAM芯片。