2019/3/7 10:19:55
新款通过AEC-Q101认证的30 V和40 V P沟道MOSFET，有效提高板级可靠性
汽车级器件导通电阻低至4.4 mW，采用业内超薄鸥翼引线结构5 mm x 6 mm紧凑型PowerPAK® SO-8L封装
2019年3月7日—Vishay Intertechnology, Inc.推出新款30 V和40 V汽车级p沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP，采用鸥翼引线结构PowerPAK® SO-8L封装，有效提升板级可靠性。SQJ407EP和SQJ409EP通过AEC-Q101认证，占位面积比DPAK封装器件减小50%以上，节省PCB空间并降低成本，同时导通电阻低于任何鸥翼引线结构5 mm x 6 mm封装MOSFET。
由于需要很高功率，12 V汽车系统马达驱动和主电源要求MOSFET在各种应用中具有极低的导通电阻，如电池反向极性保护和高边开关。Vishay Siliconix -30 V SQJ407EP和-40 V SQJ409EP在10 V条件下，导通电阻分别为4.4 mW和7.0 mW，完全可以满足这种要求。此外，作为p沟道MOSFET，两款器件是理想的负载开关，不需要电荷泵提供n沟道器件所需的正向栅压。
日前发布的MOSFET工作温度可达+175 °C，同时鸥翼引线结构可缓解温度循环过程中、主板弯曲、振动和意外跌落产生的机械应力，与刚性QFN封装相比，具有更加优异的板级可靠性。鸥翼引线结构还有助于自动光学检测 (AOI) 过程获得更加一致可靠的结果。
器件采用无铅 (Pb) 封装、无卤素、符合RoHS标准，经过100 % Rg和UIS测试。
SQJ407EP和SQJ409EP现可提供样品并已实现量产。
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