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南通通富微电二期工程成功封顶

2019/2/5 14:44:35

集微网消息

1月30日,江苏省重大工程项目——南通通富微电子有限公司二期工程在江苏南通苏通园区成功封顶。

通富微电是国内封装测试行业内的龙头企业,位于苏通园区的生产基地计划总投资80亿元,分三期实施开发建设。二期项目占地100亩,总投资20亿元,将布局目前全球最先进的扇出型封装技术工艺,生产高科技智能芯片,二期项目于2017年11月18日举行工程奠基,计划2019上半年完成厂房建设。

目前,总投资20.7亿元的一期工程已投入使用,二期项目实施后,通富微电将适时启动三期建设。最终南通通富微电项目将形成年封装测试集成电路产品36亿块,圆片测试132万片的生产能力,成为世界领先的先进封测基地。

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通富微电的封装技术包括Bumping、WLCSP、FC、BGA、SiP等先进封测技术,QFN、QFP、SO等传统封装技术以及汽车电子产品、MEMS等封装技术;测试技术包括圆片测试、系统测试等。

通富微电由南通华达微电子有限公司和富士通(中国)有限公司共同投资、由中方控股的中外合资股份制企业,专业从事集成电路封装测试,是中国前三大集成电路封测企业。

通富微电成立于1997年10月。在2015年,公司收购AMD中国持有的苏州、槟城两厂,完成从供应AMD到OSAT的华丽转身,实现了两厂先进的倒装芯片封测技术和公司原有技术互补的目的,公司先进封装销售收入占比也因此超过了七成。



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