·         业内首款单片12Gb LPDDR4x DRAM解决方案，大幅降低功耗并提升性能

·         基于10纳米工艺的LPDDR4x量产

爱达荷州博伊西，2018年11月7日——美光科技股份有限公司（纳斯达克代码：MU）今天宣布，已经开始量产业内容量最高的首款单片12Gb低功耗双倍数据速率4x（LPDDR4x）DRAM，适用于移动设备和应用。该最新一代美光LPDDR4存储器在功耗上做出了重大改进，同时保持了业内最高的LPDDR4时钟频率，从而为下一代手机和平板电脑提供高级性能。此外，美光的12Gb LPDDR4x实现了双倍的存储容量，与上一代产品相比，在不增加体积的情况下提供了业内容量最高的单片LPDDR4。

人工智能（AI）、增强现实（AR）和4K视频等计算型和数据密集型移动应用的使用量呈指数增长。相应地，移动用户需要最大化电池续航时间和性能，以及更高的容量。集成了多个高分辨率摄像头并更多地使用人工智能进行图像优化的下一代移动设备也需要更高的DRAM容量来支持这些功能。

随着行业开始部署5G移动技术，手机中的存储子系统将必须支持大幅提升的数据传输速率以及相关的实时数据处理。基于5G技术的新应用还将借助存储器子系统更高的功能，以便实现全新的沉浸式用户体验。

作为业内容量最高的单片移动存储器，美光的LPDDR4x DRAM提供了行业领先的带宽和能效，并能为手机带来更高的DRAM容量。

美光移动产品事业部高级副总裁兼总经理Raj Talluri表示：“美光在低功耗DRAM技术方面是公认的业内先驱，我们再次通过推出业内首款容量最高的单片12Gb移动DRAM而实现了新的里程碑。随着用户因为数据密集型应用而需要高性能、大容量和更长的电池续航时间，该最新一代的LPDDR4让手机制造商们能够通过超薄移动设备提供丰富的用户体验。”

LPDDR4x DRAM将采用10纳米工艺，实现提升效率和降低电池功耗。在与上一代类似的4,266Mb/s数据传输速率下，美光的LPDDR4x移动DRAM能实现能耗降低至最多10%。

美光12Gb LPDDR4存储器解决方案即日起上市。欲了解更多信息看，请访问www.micron.com。