来源：集成电路材料研究

位于隆德的初创公司Alixlabs正在开发一种方法，以降低7纳米以下半导体制造中光刻工艺的成本和提高效率。该公司已成功在首批300毫米晶圆验证。

Alixlabs的技术被称为APS，意为原子层蚀刻（ALE）间距分裂。该技术通过蚀刻来分割晶圆上的纳米结构，从而实现线宽减半。负责人Jonas Sundkvist向《电子杂志》表示：“我们已在来自德国Fraunhofer IPMS的300毫米晶圆上验证了APS，现在可以为客户提供演示。”

例如，该公司掌握了一项技术，可以将40纳米宽的非晶硅结构分割成两个宽度小于15纳米、中心间距为20纳米的新结构。使用APS生成的结构可以用于制造FinFET型晶体管的鳍片等。

该蚀刻技术适用于逻辑和存储器件工艺，并有潜力通过用蚀刻过程替代双重或四重掩模步骤，将掩模层的成本降低多达40%。这种技术适合于7纳米以下工艺。

原文链接：

https://etn.se/index.php/nyheter/71382-lunds-halvledarbolag-ett-steg-narmare-300-mm.html

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