BusinessNews
  • 首页
  • 英文版
  • 电子读物
    • 期刊
    • 焦点
  • 晶芯研讨会
  • 白皮书
  • 人才对接
  • 采购供需
  • 多媒体
    • 视频
    • 图集
  • 媒体信息
    • 投稿指南
    • 2026年媒体信息
  • 关于我们
    • 联系我们
    • 加入我们
  • 捷径:
  • 新闻动态
  • 采访报道
  • 制造与封装
  • 设计与应用
  • 设备与材料
  • 产业与市场
  • 产品特写
  • 展会与活动

当前位置:

     首页 > 新闻资讯  > 产品特写

Qorvo® 推出紧凑型 E1B 封装的 1200V SiC 模块

2024/2/29 16:41:26

2024年2月29日,全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)近日宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅(SiC)模块,其中两款为半桥配置,两款为全桥配置,导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。

图片1.png

Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示:“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET,从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅技术还支持以更高的开关频率运行,通过使用更小的外部元件进一步缩小解决方案的尺寸。这些模块的高效率特性可以简化电源设计流程,让我们的客户能够专注做好单一模块的设计、布局、组装、特性分析和认证,无需应对多个分立式元件。”

以 9.4mΩ 导通电阻的 UHB100SC12E1BC3N 为代表的这四款 SiC 模块均采用 Qorvo 独特的共源共栅配置,最大限度地降低了导通电阻和开关损耗,从而能够极大地提升效率,这一优势在软开关应用中尤为显著。另外,银烧结芯片贴装将热阻降至 0.23°C/W;与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合,其功率循环性能比市场同类 SiC 电源模块高出 2 倍。得益于以上特性,这些高度集成的 SiC 电源模块不仅易于使用,而且具有卓越的热性能、高功率密度和高可靠性。

下表概述了 Qorvo 全新的 1200V SiC 模块系列:

产品型号

描述

RDS(on)@25C(mΩ)

UFB15C12E1BC3N

1200V,15A SiC 全桥模块

70

UFB25SC12E1BC3N

1200V,25A SiC 全桥模块

35

UHB50SC12E1BC3N

1200V,50A SiC 半桥模块

19

UHB100SC12E1BC3N

1200V,100A SiC 半桥模块

9.4

Qorvo 功能强大的设计工具套件(例如 FET-Jet Calculator 和 QSPICE™ 软件)有助于产品选择和性能仿真。如需详细了解有关 Qorvo 先进的工业应用 SiC 解决方案,请访问 cn.qorvo.com/go/sic。

Qorvo SiC 模块系列已在美国加利福尼亚州长滩会议中心举行的国际电力电子应用展览会(APEC)上进行了首次亮相。更多信息,请访问 Qorvo APEC 2024 页面。




声明:本网站部分文章转载自网络,转发仅为更大范围传播。 转载文章版权归原作者所有,如有异议,请联系我们修改或删除。联系邮箱:viviz@actintl.com.hk, 电话:0755-25988573

上一篇:美光推出紧凑封装型 UFS 4.0,助力下一代智能手机设计搭载更大容量电池

下一篇:希荻微推出业界领先的硅阳极锂离子电池专用DC-DC芯片HL7603

相关资讯

Swagelok用于ALD的超高纯度阀门

2020/4/6 16:01:07

183

美光交付面向智能手机的低功耗DDR5 DRAM芯片

2020/2/6 21:27:23

183

BrewerBOND 双层临时键合系统和 BrewerBUILD 材料

2018/9/11 16:51:27

183

全新TIM材料应对电子行业百年散热难题

2018/7/14 12:22:37

183

本期内容

2026年 夏季刊

订阅期刊

过刊查询

efocus

赞助商

友情链接
回到顶部

Copyright© 2026:《半导体芯科技》; All Rights Reserved.      粤公网安备 44030402004707号   粤ICP备12025165号-7     服务条款     隐私声明