来源：半导体芯科技编译

器件可捕获并存储关键数据数十年。

随着汽车事件数据记录系统（EDR）市场不断发展，正推动对专用数据记录存储器的需求，该类器件可以即时捕获并保证关键数据可以可靠地存储数十年。英飞凌科技为其EXCELON™ F-RAM 系列推出了两款密度为1Mbit和4Mbit的新型铁电RAM (F-RAM) 存储器。据称，1Mbit器件是业界首款符合汽车标准的串行F-RAM。

该类新器件符合AEC-Q100 1级标准，可在-40°C至+125°C的温度范围内工作，补充了储存密度从4Kbit到16Mbit的汽车F-RAM产品系列。这些器件具有快速且高度可靠的读/写性能，在SPI模式下速度高达50 MHz，在Quad SPI (QSPI)模式下速度高达108 MHz，并且具有10万亿次读/写周期的耐用性，支持10微秒的间隔进行数据记录长达20年。

英飞凌RAM解决方案副总裁Ramesh Chettuvetty表示：“汽车系统中的数据记录需求正在迅速增长，电子系统应用趋势更加广泛以及在行业法规的鼓励下，安全气囊安全系统、发动机控制和电池管理系统等采用了高度可靠的非易失性存储器。随着需要数据记录的应用程序数量增加，对特定用途的存储密度的需求也在增长。英飞凌致力于为客户提供灵活方案，满足任何系统设计的储存架构需求。”

EXCELON F-RAM具有零延迟写入功能，可在触发事件或用户定义的其他触发事件发生前的最后一刻捕捉并记录系统数据。这两款新器件均采用串行 (SPI/QSPI) 接口，具有 F-RAM 的超低功耗特性，工作电压范围为1.8V至3.6V，并采用标准8引脚SOIC封装。除了卓越的耐用性外，英飞凌的F-RAM还可在断电后保留数据100多年。

原文链接：

https://siliconsemiconductor.net/article/117244/Infineon_expands_data_logging_memory_portfolio

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