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Evatec在GaN膜层上低离子损伤的溅镀方案

2020/6/27 11:59:05

SEMICON新技术研讨会.png

主题二:晶圆制造及材料技术

▲Evatec AG展出在GaN膜层上低离子损伤的溅镀方案,助力下一代MicroLED和功率器件。Evatec公司在利用CLUSTERLINE®设备,基于工业标杆级低损伤ITO镀膜的成功基础上,开发出了新一代FTC(水平对置阴极系统)硬件解决方案,成功解决超低厚度溅射镀膜的离子损伤问题。

FTC水平对置阴极装载在集群式溅镀系统,带来无损伤ITO技术;CLN 200/300,最多可集成3个FTC在多靶材系统MSQ中,可与传统溅镀协同。

该方案统溅射镀膜中的溅射源与样品相对的设置,设计出了FTC对置靶材的全新硬件结构,具有良好的损伤控制和热量控制。形成的薄膜使用载流子测试,对比没有溅镀的基板,没有造成可见的损伤,且薄膜可以控制在30nm(首层为接触层,7nm厚的FTC溅镀层;第二层是ARQ15,本体传溅镀层,Bulk为23nm;此乃最佳配比,可实现throughput 12.8W/h/module)以及更薄的厚度,更好的适配MicroLED和功率器件的应用。

CLN-200 Cluster.png

uLED-ITO镀膜.png



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