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长江存储:今年会如期推出128层闪存

2020/4/8 17:16:33

来源:证券时报等,SiSC整理

链接:听泛林专家聊碳化硅和3D NAND

4月8日,长江存储CEO杨士宁在接受采访时谈及了该公司最先进的128层3D NAND技术的研发进度。

杨士宁表示,128层3D NAND技术研发进度短期确实会有所波及。但目前长江存储已实现全员复工,从中长期来看,这次疫情并不会影响总体进度。128层技术会按计划在2020年推出。

今年早些时候,长江存储市场与销售资深副总裁龚翔表示,接下来,长江存储将跳过如今业界常见的96层,直接投入128层闪存的研发和量产工作。

2020年,全球闪存行业将集体奔向100+层,比如SK海力士已出货128层并将在年底做到176层,三星有128层、136层,西数、铠侠 (原东芝存储) 都是112层但存储密度更高,美光128层,Intel则会做成144层。

除了在堆叠层数上追赶世界先进水品,长江存储自主研发的Xtacking堆栈架构也正在推荐2.0版本,会重点拓展性能、功能,也是直接上128层堆叠的重要保障。

64层3D NAND.jpg

▲长江存储64层3D NAND闪存晶圆

2Q20 NAND FLASH.png


*长江存储科技有限责任公司

成立于2016年7月,总部位于武汉,是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,同时也提供完整的存储器解决方案。

2017年10月,长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式,成功设计制造了中国首款3D NAND闪存;2019年9月,搭载长江存储自主创新Xtacking架构的64层TLC 3D NAND闪存正式量产。

2020年1月16日,在长江存储召开的市场合作伙伴年会上,杨士宁曾表示,长江存储已规划2020年将提供嵌入式存储、固态硬盘(SSD)等完整解决方案产品,面向更多通讯、系统整机客户。自长江存储2019年三季度量产第二代64层3D NAND闪存到现在,市场总体给予了正面积极的评价,下一步,长江存储的第三代产品将跳过96层,直接上128层堆叠闪存。







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