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1）台积电4月份揭秘3nm工艺，与三星关键决战开始
2）台积电披露先进进程，明年建成2nm研发中心

在上个月举行的台积电技术论坛上，台积电公布了5nm、4nm、3nm工艺的进展，他们表示3nm工艺的研发正在按计划推进，仍将采用成熟的鳍式场效应晶体管技术 (FinFET)。不过近日，比3nm更为先进的2nm工艺也逐渐浮出水面。

根据产业链消息人士透露，台积电目前2nm工艺进展神速，甚至超过了预期，并且2nm不会继续采用成熟的鳍式场效应晶体管技术(FinFET)，而会采用环绕栅极晶体管技术(GAA)。

同样在上个月的技术论坛上，台积电高级副总裁Kevin Zhang在预先录制的一段视频中表示，新的台湾研发中心将运营一条先进生产线，将投入8000名工程师，攻克2nm工艺的技术难关。

有关5nm芯片制造成本   ——  5nm制程：约4.36亿美元