据外媒报道：为抢攻芯片代工市场，三星发展制程微缩技术之际，也拟祭出低价策略，借此扩大市占率。据台湾集邦科技公司预测，三星芯片代工业务，今年第四季营收有望年增19.3%，但仍难以拉近和台积电的差距。集邦科技旗下研究院预估今年Q4全球芯片代工总产值将较上季增长6%。市占率前三名分别为：台积电52.7%、三星17.8%与格罗方德8%。

因应5G、TWS耳机等新应用市场的扩大，市场已推出一系列5G芯片，包括华为麒麟990 5G SoC、华为巴龙5000、联发科天玑1000 5G SoC、高通骁龙856、紫光集团春藤510、三星Exynos 990等，这些高端芯片都交由TSMC代工，让其7nm产线产能爆满，订单供货期由两个月延长至六个月。

新推出的高通骁龙865旗舰芯片和骁龙765系列的中高端芯片，都是采用的时下最新的7nm工艺制程打造，但骁龙865的7nm“N7P”工艺显然要比普通的7nm要先进许多。不过，原本将由三星代工的这款旗舰芯片最终还是交给了台积电，三星只能拿到骁龙765系列中高端芯片的订单。

之所以三星在5G高端芯片代工业务上受限，主要是因为它的IDM身份而非产线技术与建成迟早的问题。据悉，三星的7纳米布局较台积电提早好几个月（但进度相比稍晚），仍无法获取高端芯片骁龙856订单，三星7nm产线仅分配到中端S765、S765G订单，真正原因是高通担心三星“抄袭”芯片的制程技术。

就三星而言，市场对于明年5G手机寄予厚望，使得自有品牌高端4G手机需求成长趋缓，不过高通在三星投片的5G SoC于第四季底将陆续出货，有望填补原本手机销量下滑的状况。

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三星工艺现状与未来规划

三星在10nm、7nm及5nm节点的进度都会比台积电要晚一些，导致台积电几乎包揽了目前的7nm芯片订单，三星只抢到IBM、NVIDIA及高通部分订单。

不过，三星已经把目标放在了未来的3nm工艺上，预计2020年完成开发，2021年量产。在3nm节点，三星将从FinFET晶体管转向GAA环绕栅极晶体管工艺，其中3nm工艺使用的是第一代GAA晶体管，官方称之为3GAE工艺。

基于全新的GAA晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。此外，MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备，从而加速工艺开发及生产。

与现在的7nm工艺相比，5nm工艺可将核心面积减少45%，功耗降低50%，性能提升35%。与5nm工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%。

在工艺进度上，三星今年4月份已经在韩国华城的S3 Line工厂生产7nm芯片，并将在年内子完成了基于极端紫外线技术（EUV）的5纳米FinFET工艺技术的研发。如今三星公司正在研究下一代纳米工艺技术（即3纳米GAA）。