美光推出面向移动应用、业内容量最高的单片式内存

LPDDR4X 批量生产进入1z 纳米 DRAM 工艺节点

·  16Gb LPDDR4X改进了能耗、速度和业内最高容量的单片式裸晶，它的推出进一步巩固了美光在低功耗 DRAM 领域的领先地位。

· 基于 UFS 的多芯片封装可在同等尺寸条件下降低功耗并增加容量，从而使手机设计更加轻巧

2019 年 8 月 15 日 ——美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）今天宣布推出业内容量最高的单片式 16Gb 低功耗双倍数据率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能够在单个智能手机中提供高达 16GB¹ 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，显示了美光为当前和下一代移动设备提供卓越内存容量和性能的前沿地位。

美光 LPDDR4X基于 UFS多芯片封装 (uMCP4)，满足了移动设备制造商对于低功耗以延长电池寿命，以及更小尺寸、纤薄设计、有吸引力的设备外形的需求。美光已经开始批量生产其 LPDDR4X 和 uMCP4，引领行业向 1z 纳米工艺节点过渡。

“数据密集型移动应用程序不断推动着消费者对于大容量内存和存储的需求，这种需求不仅出现在旗舰智能手机中，而且出现在中高端移动设备中，”美光科技移动产品事业部高级副总裁兼总经理 Raj Talluri 博士表示，“新一代 16Gb LPDDR4X 旨在满足当今数据密集型应用程序的需求，同时确保满足未来边缘端高级人工智能处理和高带宽 5G 应用的需求。”

美光 LPDDR4X 在同等尺寸条件下为分立式设计和低功耗多芯片封装提供了更高的密度，以满足更广泛的智能手机用户群体的需求。新兴的 5G 移动技术需要一个能够提供更高数据率和实时数据处理的内存子系统，从而为移动设备用户提供绝佳的体验。

美光1z 纳米 LPDDR4X 产品具备业界最低的能耗，同时保持了LPDDR4 最高的时钟频率，高达 4,266兆位/秒 (Mbps)。与上一代针对 4K 视频播放等内存密集型应用的解决方案相比，美光1z 纳米 LPDDR4X的能耗降低了 10%。LPDDR4X作为目前业内最高容量的单片式 16Gb LPDDR4X 裸晶（单个封装中堆叠多达 8 个裸晶），与前几代 LPDDR4相比，可在不增加封装尺寸的条件下，实现内存容量的翻倍。

美光 LPDDR4X 内存解决方案现已批量供货，提供分立式解决方案和八种不同配置的基于 UFS 的多芯片封装 (uMCP4)，可选择范围从 64GB + 3GB组合至 256GB + 8GB组合。uMCP4满足了日益增长的中高端市场对于类似旗舰智能手机性能的内存需求。

参考：

¹ 16 Gigabit (Gb) = 2.0 Gigabyte (GB)；8 裸晶 LPDRAM 封装提供高达 16GB 的容量