芯片制造技术的进步驱动半导体清洗技术快速发展。芯片技术节点不断提升,从55nm、
40nm、28nm至14nm、7nm及以下,对晶圆表面污染物的控制要求越来越高,往往光
刻、刻蚀、沉积等重复性工序前后都需要一步清洗工序,清洗步骤数量约占所有芯片
造工序步骤30%以上,是所有芯片制造工艺步骤中占比最大的工序。在半导体硅片的制
造过程中,需要清洗抛光后的硅片,保证其表面平整度和性能;而在晶园制造工艺中要
在光刻、刻蚀、沉积等关键工序前后进行清洗,去除晶圆沾染的化学杂质,减小缺陷率
而在封装阶段,需根据封装工艺进行TSV清洗、UBM/RDL清洗等。随着技术节点的继
续进步,清洗工序的数量和重要性将继续随之提升,在实现相同芯片制造产能的情况下,
对清洗设备的需求量也将相应增加,本演讲依半导体清洗市场分析及技术应用作探讨。
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