“新基建‘芯’机遇”，非常应景时下半导体产业现状。那么在超宽带低延时”的5G新科技浪潮下，给化合物半导体、3D存储芯片、5G-IoT芯片带来怎样的挑战与机遇？
2020年8/9月
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林挺宇，博士，教授级高级工程师，先后毕业于清华大学、（中国）航空航天工业部第一研究院以及新加坡国立大学。长期从事微电子封装及可靠性方面的研究
肖青总经理现任中移物联网有限公司集成电路创新中心总经理。长期从事物联网标准演进、关键技术及应用研发工作.
付琳博士毕业于英国剑桥大学，目前就职于VLSIresearch Europe 担任分析师职务。致力于半导体测试领域的市场研究与分析。
FinFET鳍式场效晶体管(Fin Field-Effect Transistor)，是一种新的互补式金氧半导(CMOS)晶体管。发明人是加州大学伯克利分校的胡正明教授
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